APT50MC120JCU2 Microchip Technology


391125297-apt50mc120jcu2-0-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Boost chopper SiC MOSFET and SiC chopper diode Power module
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50MC120JCU2 Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 54A; ISOTOP; screw; Idm: 140A; 300W, Power dissipation: 300W, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: diode/transistor, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Gate-source voltage: -10...25V, Topology: boost chopper, Pulsed drain current: 140A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 54A, On-state resistance: 34mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT50MC120JCU2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT50MC120JCU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125297 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 54A; ISOTOP; screw; Idm: 140A; 300W
Power dissipation: 300W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...25V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 140A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 34mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT50MC120JCU2 Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125297 Description: MOSFET N-CH 1200V SOT227
товар відсутній
APT50MC120JCU2 Виробник : Microsemi APT50MC120JCU2-Rev1-600656.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товар відсутній
APT50MC120JCU2 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=125297 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 1.2kV; 54A; ISOTOP; screw; Idm: 140A; 300W
Power dissipation: 300W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: diode/transistor
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...25V
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 140A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 34mΩ
товар відсутній