Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT51F50J
APT51F50J

APT51F50J Microchip Technology

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2315.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT51F50J Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT51F50J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT51F50J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT51F50J Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT51F50J Виробник : Microchip Technology APT100F50J_C-3444460.pdf MOSFET Modules FREDFET MOS8 500 V 51 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.