APT54GA60BD30 Microchip / Microsemi
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT54GA60BD30 Microchip / Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Gate charge: 158nC, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 54A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 161A, Turn-on time: 37ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 8®; PT, Power dissipation: 416W, Turn-off time: 291ns, Type of transistor: IGBT.
Інші пропозиції APT54GA60BD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT54GA60BD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 158nC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 54A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 161A Turn-on time: 37ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Power dissipation: 416W Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |
|
| APT54GA60BD30 | Виробник : MICROSEMI |
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT54GA60BD30 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 96A 416W TO247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT54GA60BD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 158nC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 54A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 161A Turn-on time: 37ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Power dissipation: 416W Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |