
APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 280nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT56F60L MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 280nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT56F60L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
APT56F60L | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT56F60L | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT56F60L | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 280nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 210A Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |