Технічний опис APT56F60L Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 280nC, On-state resistance: 0.11Ω, Power dissipation: 1.04kW, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції APT56F60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT56F60L | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT56F60L | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 280nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 1.04kW Gate-source voltage: ±30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 210A Drain-source voltage: 600V Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |