Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > APT56M60L

APT56M60L Microchip / Microsemi

Name: APT56M60L
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: 459518526-1
Price: 1357.76 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-264

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT56M60L Microchip / Microsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT56M60L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT56M60L	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH Si 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT56M60L	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 38A Gate charge: 280nC Drain-source voltage: 600V Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 210A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT56M60L	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT56M60L	Виробник : Microchip Technology	MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT56M60L	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 38A Gate charge: 280nC Drain-source voltage: 600V Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 210A Mounting: THT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.