Технічний опис APT6011B2VRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT6011B2VRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT6011B2VRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APT6011B2VRG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| APT6011B2VRG | Виробник : MICROSEMI |
TMAX/ [B2]POWER MOSFET - MOS5 APT6011 кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT6011B2VRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
APT6011B2VRG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS5 600 V 11 Ohm TO-247 MAX |
товару немає в наявності |