Технічний опис APT6013B2LLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT6013B2LLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT6013B2LLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APT6013B2LLG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
APT6013B2LLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5630 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
APT6013B2LLG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS7 600 V 13 Ohm TO-247 MAX |
товару немає в наявності |