APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX, Mounting: THT, On-state resistance: 0.17Ω, Drain current: 35A, Power dissipation: 500W, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 140A, Case: TO247MAX, Kind of channel: enhancement, Technology: POWER MOS 7®, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 0.1µC.
Інші пропозиції APT6017B2FLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6017B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT6017B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS7 600 V 17 Ohm TO-247 MAX |
товару немає в наявності |
|
| APT6017B2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX Mounting: THT On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 35A Power dissipation: 500W Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 140A Case: TO247MAX Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 7® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 0.1µC |
товару немає в наявності |