APT6030BVRG Microchip Technology
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 888.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT6030BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 298W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 150nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT6030BVRG за ціною від 770.83 грн до 906.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6030BVRG | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFET MOSFET MOS5 600 V 30 Ohm TO-247 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT6030BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT6030BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT6030BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT6030BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
APT6030BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |