APT60GA60JD60 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 356 W
Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.01 nF @ 25 V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2110.31 грн |
| 100+ | 1649.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT60GA60JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 112 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 356 W, Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.01 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT60GA60JD60 за ціною від 1929.62 грн до 2266.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT60GA60JD60 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227 |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT60GA60JD60 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 112A 356000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
APT60GA60JD60 | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT60GA60JD60 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; tube Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 178A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 0.6kV Technology: POWER MOS 8®; PT Application: for UPS Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |