Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT60N60BCSG
APT60N60BCSG

APT60N60BCSG Microchip Technology

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1484.58 грн
100+1160.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT60N60BCSG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT60N60BCSG за ціною від 1402.72 грн до 1649.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Виробник : Microchip Technology APT47N60B_SC3_G__F-3444503.pdf MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1649.09 грн
100+1402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Виробник : Microchip Technology apt60n60b_scsg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG Виробник : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT60N60
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT60N60BCSG APT60N60BCSG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 431W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.