APT60N60BCSG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1363.8 грн |
| 100+ | 1066.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT60N60BCSG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT60N60BCSG за ціною від 1242.86 грн до 1460.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT60N60BCSG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT60N60BCSG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT60N60BCSG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT60N60BCSG | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - COOLMOS APT60N60 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT60N60BCSG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |