APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT64GA90LD30 Microsemi Power Products Group
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 8®; PT, Gate charge: 162nC, Turn-on time: 44ns, Turn-off time: 352ns, Collector current: 64A, Power dissipation: 500W, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector-emitter voltage: 900V, Pulsed collector current: 193A.
Інші пропозиції APT64GA90LD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT64GA90LD30 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 900V 117A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT64GA90LD30 | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT64GA90LD30 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT64GA90LD30 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Gate charge: 162nC Turn-on time: 44ns Turn-off time: 352ns Collector current: 64A Power dissipation: 500W Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 193A |
товару немає в наявності |