APT65GP60J Microsemi
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60J Microsemi
Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT65GP60J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APT65GP60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; screw; tube; screw Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Kind of package: tube Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7®; PT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APT65GP60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
APT65GP60J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT65GP60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; screw; tube; screw Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Kind of package: tube Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7®; PT |
товару немає в наявності |