APT65GP60J Microsemi
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60J Microsemi
Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT65GP60J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT65GP60J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B Case: SOT227B Type of module: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 250A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT65GP60J | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| APT65GP60J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B Case: SOT227B Type of module: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 60A Pulsed collector current: 250A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |