APT65GP60J Microsemi


APT65GP60J_A-603022.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT65GP60J Microsemi

Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP, Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 431 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Part Status: Active, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: ISOTOP®, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції APT65GP60J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT65GP60J APT65GP60J Microchip Technology 6463-apt65gp60j-a-datasheet Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60J Microchip Technology APT102GA60B2_L_C-2474610.pdf IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60J 6463-apt65gp60j-a-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 431 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT65GP60J APT102GA60B2_L_C-2474610.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.