Технічний опис APT65GP60JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT65GP60JDQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROSEMI |
 SOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT65GP60JDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT65GP60JDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A SOT-227 |
товару немає в наявності |