APT65GP60JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: IGBT modules
Description: Single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; screw; tube; screw
Collector current: 60A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®; PT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60JDQ2 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT65GP60JDQ2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APT65GP60JDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
APT65GP60JDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B; screw; tube; screw Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Kind of package: tube Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 7®; PT |
товару немає в наявності |