Технічний опис APT66F60B2 Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W, Case: TO247MAX, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 1135W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 330nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 245A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 44A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT66F60B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT66F60B2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT66F60B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX |
товару немає в наявності |
|
 |
APT66F60B2 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |
|
| APT66F60B2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |