Технічний опис APT66F60L Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 1135W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 330nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 245A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 44A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT66F60L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT66F60L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT66F60L | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO264 |
товар відсутній |
||
APT66F60L | Виробник : Microchip Technology | MOSFET FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-264 |
товар відсутній |
||
APT66F60L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |