APT66M60B2 Microchip / Microsemi
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT66M60B2 Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W, Case: TO247MAX, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 44A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1135W, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Gate charge: 330nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 245A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT66M60B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT66M60B2 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 70A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|
| APT66M60B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1135W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT66M60B2 | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT66M60 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT66M60B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX |
товар відсутній |
|
|
|
APT66M60B2 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX |
товар відсутній |
|
| APT66M60B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1135W Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A |
товар відсутній |