Продукція > MICROSEMI > APT70GR120J

APT70GR120J Microsemi

Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT70GR120J Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A, Pulsed collector current: 280A, Kind of package: tube, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SOT227B, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT70GR120J

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT70GR120J	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : Microchip Technology	IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.