APT70GR120J Microsemi
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR120J Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Case: SOT227B, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A, Pulsed collector current: 280A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT70GR120J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120J | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT70GR120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT70GR120J | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227 |
товар відсутній |
|
| APT70GR120J | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227 |
товар відсутній |
||
| APT70GR120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A |
товар відсутній |