APT70GR120J Microsemi


APT70GR120J_A-597404.pdf Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT70GR120J Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 70A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 280A, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT70GR120J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT70GR120J APT70GR120J Виробник : Microchip Technology 102127869-apt70gr120j-a-pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 127869-apt70gr120j-a-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 280A
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J APT70GR120J Виробник : Microsemi Power Products Group 127869-apt70gr120j-a-pdf Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J Виробник : Microchip Technology APT100GT120JR_B-3444523.pdf IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 127869-apt70gr120j-a-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 280A
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.