Продукція > MICROSEMI > APT70GR120J

APT70GR120J Microsemi

APT70GR120J_A-597404.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT70GR120J Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 280A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single transistor, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A.

Інші пропозиції APT70GR120J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APT70GR120J APT70GR120J Microsemi Power Products Group 127869-apt70gr120j-a-pdf Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J Microchip Technology APT100GT120JR_B.pdf IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J MICROCHIP TECHNOLOGY 127869-apt70gr120j-a-pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J 127869-apt70gr120j-a-pdf
APT70GR120J
Виробник: Microsemi Power Products Group
Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J APT100GT120JR_B.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT70GR120J 127869-apt70gr120j-a-pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.