Продукція > MICROSEMI > APT70GR120J

APT70GR120J Microsemi

Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT70GR120J Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Case: SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor, Kind of package: tube, Collector current: 70A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 280A, Max. off-state voltage: 1.2kV.

Інші пропозиції APT70GR120J

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT70GR120J	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : Microsemi Power Products Group	Description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : Microchip Technology	IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT70GR120J	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Collector current: 70A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.