APT70GR120JD60 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2910.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR120JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 112 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT70GR120JD60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT70GR120JD60 | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/Ultra Fast NPT - IGBT APT70GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT70GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
||
| APT70GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Collector current: 70A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |