APT70GR120JD60 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2430.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR120JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 112 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT70GR120JD60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT70GR120JD60 | MICROSEMI |
ISOTOP/Ultra Fast NPT - IGBT APT70GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APT70GR120JD60 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APT70GR120JD60 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 280A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT70GR120JD60 |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT70GR120JD60 |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 280A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.