APT70GR65B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 614.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR65B Microchip Technology
Description: IGBT 650V 134A 595W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns, Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off), Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 305 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A, Power - Max: 595 W.
Інші пропозиції APT70GR65B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR65B | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT70GR65B | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT70GR65B | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 650 V 70 A TO-247 |
товару немає в наявності |
||
 |
APT70GR65B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 650V; 65A; 595W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT; POWER MOS 8® Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 65A Power dissipation: 595W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 260A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 264ns |
товару немає в наявності |