
APT75GN120B2G MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GN120B2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 99A, Power dissipation: 833W, Case: T-Max, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 225A, Mounting: THT, Gate charge: 425nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 101ns, Turn-off time: 925ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT75GN120B2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT75GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT75GN120B2G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APT75GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT75GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APT75GN120B2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 99A Power dissipation: 833W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 425nC Kind of package: tube Turn-on time: 101ns Turn-off time: 925ns |
товару немає в наявності |