APT75GN120JDQ3 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 124 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 379 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8 nF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2513.73 грн |
| 100+ | 1964.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GN120JDQ3 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 124 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 379 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT75GN120JDQ3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75GN120JDQ3 | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT75GN120JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 124A 379000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT75GN120JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 57A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT75GN120JDQ3 | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/IGBT APT75GN120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT75GN120JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: Field Stop; Trench Collector current: 57A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товару немає в наявності |