APT75GP120B2G


High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Код товару: 219401
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції APT75GP120B2G за ціною від 1701.70 грн до 1701.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT75GP120B2G APT75GP120B2G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 1200V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 320 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1042 W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1701.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120B2G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 100A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/163ns
Switching Energy: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 320 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 1042 W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1701.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.