APT75GP120J

APT75GP120J Microchip Technology


6473-apt75gp120j-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3148.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT75GP120J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 128 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT75GP120J за ціною від 2598.86 грн до 3664.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT75GP120J APT75GP120J Виробник : Microchip Technology APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet-3444365.pdf IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A SOT-227
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3664.11 грн
25+3536.27 грн
100+2598.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120J APT75GP120J
Код товару: 101781
Додати до обраних Обраний товар

6473-apt75gp120j-datasheet Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6473-apt75gp120j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120J Виробник : MICROSEMI 6473-apt75gp120j-datasheet ISTOP 4/128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT75GP120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6473-apt75gp120j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.