APT75GP120J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3148.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GP120J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 128 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT75GP120J за ціною від 2598.86 грн до 3664.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT75GP120J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
APT75GP120J Код товару: 101781
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||
APT75GP120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
APT75GP120J | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
APT75GP120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |