APT75GP120JDQ3


APT75GP120JDQ3_Adsf.pdf
Код товару: 38098
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 3,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 128 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 57 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 543 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 20/165
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції APT75GP120JDQ3 за ціною від 2469.44 грн до 7695.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3 Microchip Technology APT75GP120JDQ3-MOS7-PT-IGBT-w-DQ-Diode-Datasheet.pdf Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Power - Max: 543 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3159.56 грн
100+2469.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3 Microchip Technology 75gp120jdq3_a.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7695.19 грн
3+6618.73 грн
10+6008.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3 Microchip Technology APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet.pdf IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 Microsemi APT75GP120JDQ3_A.pdf IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+4820.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3-MOS7-PT-IGBT-w-DQ-Diode-Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Power - Max: 543 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: ISOTOP®
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Tube
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3159.56 грн
100+2469.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 75gp120jdq3_a.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+7695.19 грн
3+6618.73 грн
10+6008.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 APT13GP120BDQ1G_MOS7_PT_IGBT_w_DQ_Diode_Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT75GP120JDQ3 APT75GP120JDQ3_A.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори
на замовлення 33 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4820.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.