APT75GP120JDQ3 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 128 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3424.97 грн |
| 100+ | 2676.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GP120JDQ3 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 128 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT75GP120JDQ3 за ціною від 2614.06 грн до 4287.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75GP120JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Collector current: 57A Power dissipation: 543W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Technology: POWER MOS 7® Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT75GP120JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 |
на замовлення 2301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT75GP120JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Collector current: 57A Power dissipation: 543W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Technology: POWER MOS 7® Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Виробник : Microsemi |
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||
 |
APT75GP120JDQ3 Код товару: 38098
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT Vces: 1200 V Vce: 3,3 V Ic 25: 128 A Ic 100: 57 A Pd 25: 543 W td(on)/td(off) 100-150 град: 20/165 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
 |
APT75GP120JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
APT75GP120JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
APT75GP120JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| APT75GP120JDQ3 | Виробник : MICROSEMI |
APT75GP120JDQ3 APT75GP120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |