Продукція > MICROSEMI > APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3 Microsemi

Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT75GT120JRDQ3 Microsemi

Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 97 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 480 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT75GT120JRDQ3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT75GT120JRDQ3 Код товару: 47971 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT75GT120JRDQ3	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480mW 4-Pin SOT-227 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT75GT120JRDQ3	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: NPT; POWER MOS 7® Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT75GT120JRDQ3	Виробник : MICROSEMI	ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT75GT120JRDQ3	Виробник : Microchip Technology	Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 97 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 480 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT75GT120JRDQ3	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: NPT; POWER MOS 7® Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.