Продукція > MICROSEMI > APT75GT120JRDQ3
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3 Microsemi


APT75GT120JRDQ3_F-598559.pdf Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT75GT120JRDQ3 Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 57A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Technology: NPT; POWER MOS 7®, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT75GT120JRDQ3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JRDQ3
Код товару: 47971
7248-apt75gt120jrdq3-datasheet Транзистори > IGBT
товар відсутній
APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JRDQ3 Виробник : Microchip Technology apt75gt120jrdq3_f.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480mW 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT75GT120JRDQ3 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 57A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT75GT120JRDQ3 Виробник : MICROSEMI 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JRDQ3 Виробник : Microchip Technology 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP
товар відсутній
APT75GT120JRDQ3 Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7248-apt75gt120jrdq3-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 57A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: NPT; POWER MOS 7®
Mechanical mounting: screw
товар відсутній