Технічний опис APT77N60SC6 Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 49A, Pulsed drain current: 272A, Power dissipation: 481W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 260nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: CoolMOS™.
Інші пропозиції APT77N60SC6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT77N60SC6 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
APT77N60SC6 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT77N60SC6 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 49A Pulsed drain current: 272A Power dissipation: 481W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |