APT7F100B

APT7F100B Microchip Technology


APT7F100B_S_B-1593697.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFET FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247
на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+339.44 грн
10+ 333.82 грн
100+ 246.44 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT7F100B Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT7F100B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT7F100B Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet APT7F100B THT N channel transistors
товар відсутній
APT7F100B APT7F100B Виробник : Microchip Technology 7889628557410357259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT7F100B APT7F100B Виробник : Microchip Technology 7889628557410357259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT7F100B APT7F100B Виробник : Microchip Technology 7259-apt7f100b-apt7f100s-datasheet Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній