APT7M120B

APT7M120B Microchip Technology


7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Виробник: Microchip Technology
MOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-247
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.34 грн
100+ 339.26 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT7M120B Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 335W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 28A, Gate charge: 80nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 2.1Ω, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT7M120B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT7M120B APT7M120B Виробник : Microsemi 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet MOSFET Power MOSFET - MOS8
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT7M120B APT7M120B Виробник : Microsemi Corporation 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
APT7M120B APT7M120B Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 335W
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT7M120B APT7M120B Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7267-apt7m120b-apt7m120s-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 335W
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Gate-source voltage: ±30V
товар відсутній