APT8011JLL Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9480 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6067.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8011JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 51A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 694W, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Technology: POWER MOS 7®, Power dissipation: 694W, Pulsed drain current: 204A, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 51A, On-state resistance: 110mΩ, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції APT8011JLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT8011JLL | Виробник : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.11_OHM, SOT-227 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT8011JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT8011JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 51A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT8011JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 51A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 694W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 694W Pulsed drain current: 204A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 51A On-state resistance: 110mΩ Semiconductor structure: single transistor |
товар відсутній |
||
| APT8011JLL | Виробник : MICROSEMI |
SOT227/POWER MOSFET - MOS7 APT8011 кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| APT8011JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 51A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw; 694W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 7® Power dissipation: 694W Pulsed drain current: 204A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 51A On-state resistance: 110mΩ Semiconductor structure: single transistor |
товар відсутній |