
APT8014L2FLLG Microchip / Microsemi
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8014L2FLLG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 52A, Pulsed drain current: 208A, Power dissipation: 893W, Case: TO264MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.16Ω, Mounting: THT, Gate charge: 285nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT8014L2FLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT8014L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT8014L2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 52A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 893W Case: TO264MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APT8014L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7238 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT8014L2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT8014L2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W; TO264MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 52A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 893W Case: TO264MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |