APT8015JVFR Microchip / Microsemi
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8015JVFR Microchip / Microsemi
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 700W, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Mechanical mounting: screw, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 44A, On-state resistance: 0.15Ω, Power dissipation: 700W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 176A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT8015JVFR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT8015JVFR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 800V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 700W Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 176A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT8015JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 44A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT8015JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP |
товар відсутній |
|
| APT8015JVFR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 700W Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Drain-source voltage: 800V Drain current: 44A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 176A |
товар відсутній |