APT8020B2FLLG MICROCHIP (MICROSEMI)


7273-apt8020b2fllg-apt8020lfllg-datasheet Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT8020B2FLLG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO247MAX, Case: TO247MAX, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 195nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 152A, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.22Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT8020B2FLLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT8020B2FLLG APT8020B2FLLG Виробник : Microchip Technology apt8020b2_lfll_c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT8020B2FLLG APT8020B2FLLG Виробник : Microchip Technology 7273-apt8020b2fllg-apt8020lfllg-datasheet Description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
товар відсутній
APT8020B2FLLG APT8020B2FLLG Виробник : Microchip / Microsemi 7273-apt8020b2fllg-apt8020lfllg-datasheet MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT8020B2FLLG APT8020B2FLLG Виробник : Microchip Technology aptts03823_1-2274747.pdf MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT8020B2FLLG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7273-apt8020b2fllg-apt8020lfllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; Idm: 152A; 694W; TO247MAX
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 152A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.22Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній