APT8020B2LLG MICROCHIP (MICROSEMI)


APT8020B2LLG.pdf Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 195nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT8020B2LLG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max, Case: T-Max, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 195nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT8020B2LLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT8020B2LLG APT8020B2LLG Виробник : Microchip Technology 8020b2ll_lll.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
APT8020B2LLG Виробник : MICROSEMI 7274-apt8020b2llg-apt8020lllg-datasheet T-MAX/38 A, 800 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT8020
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT8020B2LLG APT8020B2LLG Виробник : Microchip Technology 7274-apt8020b2llg-apt8020lllg-datasheet Description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
товар відсутній
APT8020B2LLG APT8020B2LLG Виробник : Microchip Technology 7274-apt8020b2llg-apt8020lllg-datasheet MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.20_OHM, TO-247 T-MAX, RoHS
товар відсутній
APT8020B2LLG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) APT8020B2LLG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; T-Max
Case: T-Max
Mounting: THT
Power dissipation: 694W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 195nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній