APT8020LLLG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8020LLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 694W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 195nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT8020LLLG за ціною від 1978.89 грн до 2324.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT8020LLLG | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFET MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-264 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
 |
APT8020LLLG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT8020LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT8020LLLG | Виробник : MICROSEMI |
TO-264 [L]POWER MOSFET - MOS7 кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
APT8020LLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 38A TO264 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
APT8020LLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 38A; 694W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 694W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 195nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Drain current: 38A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |