Технічний опис APT8030LVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8030LVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs POWER MOS V 800V 27A |
товару немає в наявності |

