на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1696.8 грн |
| 100+ | 1444.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8030LVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8030LVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT8030LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT8030LVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 510 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT8030LVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |