
APT8056BVRG Microchip Technology
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1266.72 грн |
10+ | 1198.95 грн |
25+ | 974.47 грн |
100+ | 951.05 грн |
250+ | 950.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8056BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8056BVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT8056BVRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT8056BVRG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |