APT8065SVRG

APT8065SVRG Microchip Technology


APT8065SVRG_C-1859284.pdf Виробник: Microchip Technology
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.65_OHM, D3, TO-268, RoHS
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1017.77 грн
100+ 866.15 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT8065SVRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT8065SVRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT8065SVRG APT8065SVRG Виробник : Microchip Technology apt8065svrg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товар відсутній
APT8065SVRG APT8065SVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 123470-apt8065svrg-datasheet Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 280W
On-state resistance: 0.65Ω
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT8065SVRG APT8065SVRG Виробник : Microchip Technology 123470-apt8065svrg-datasheet Description: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товар відсутній
APT8065SVRG APT8065SVRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 123470-apt8065svrg-datasheet Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 280W
On-state resistance: 0.65Ω
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Gate charge: 225nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 52A
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
товар відсутній