APT80F60J Microchip / Microsemi
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT80F60J Microchip / Microsemi
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 52A; ISOTOP; screw; Idm: 447A; 961W, Case: ISOTOP, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 8®, Kind of package: tube, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 447A, Drain current: 52A, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 55mΩ, Power dissipation: 961W, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції APT80F60J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT80F60J | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 84A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT80F60J | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP |
товару немає в наявності |
|
| APT80F60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 52A; ISOTOP; screw; Idm: 447A; 961W Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 8® Kind of package: tube Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 447A Drain current: 52A Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 961W Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |