APT80GP60B2G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TMAX
Power - Max: 1041 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT80GP60B2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TMAX, Power - Max: 1041 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Input Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.
Інші пропозиції APT80GP60B2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT80GP60B2G | Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT80GP60B2G |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.