Технічний опис APT80GP60B2G Microchip Technology
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 1041W, Case: T-Max, Mounting: THT, Gate charge: 280nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 100A, Pulsed collector current: 330A, Collector-emitter voltage: 600V, Technology: POWER MOS 7®; PT, Turn-on time: 69ns, Turn-off time: 233ns.
Інші пропозиції APT80GP60B2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT80GP60B2G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT80GP60B2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 600V 100A TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1041 W |
товару немає в наявності |
|
| APT80GP60B2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |
||
 |
APT80GP60B2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1041W Case: T-Max Mounting: THT Gate charge: 280nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 330A Collector-emitter voltage: 600V Technology: POWER MOS 7®; PT Turn-on time: 69ns Turn-off time: 233ns |
товару немає в наявності |