APT80GP60B2G Microchip Technology
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1670.39 грн |
| 100+ | 1422.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT80GP60B2G Microchip Technology
Description: IGBT 600V 100A 1041W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 1041 W.
Інші пропозиції APT80GP60B2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT80GP60B2G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|
| APT80GP60B2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT80GP60B2G THT IGBT transistors |
товар відсутній |
||
 |
APT80GP60B2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 100A 1041W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1041 W |
товар відсутній |