Технічний опис APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
Description: IGBT 600V 151A 462W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 151 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 462 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT80GP60JDQ3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT80GP60JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 151A 462000mW |
товару немає в наявності |
|
| APT80GP60JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 330A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT80GP60JDQ3 | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOS 7 IGBT APT80GP60 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT80GP60JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 151A 462W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 151 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 462 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| APT80GP60JDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 80 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
||
| APT80GP60JDQ3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 7®; PT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 330A Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |