APT85GR120J Microchip Technology


APT100GT120JR_B.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2205.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT85GR120J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT85GR120J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT85GR120J APT85GR120J Microchip Technology 125228-apt85gr120j-datasheet Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT85GR120J 125228-apt85gr120j-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.