
APT85GR120J Microchip Technology
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2852.09 грн |
100+ | 2427.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT85GR120J Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT85GR120J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT85GR120J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT85GR120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 85A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 340A Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; motors Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APT85GR120J | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 116 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 543 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
APT85GR120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 85A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 340A Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; motors Kind of package: tube |
товару немає в наявності |