APT85GR120JD60 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2801.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT85GR120JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT85GR120JD60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT85GR120JD60 | Виробник : MICROSEMI |
SOT-227/Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товару немає в наявності |
|
 |
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товару немає в наявності |
|
 |
APT85GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
|
| APT85GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 85A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 340A Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Application: for UPS; Inverter; motors |
товару немає в наявності |