APT8M100B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 25 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.96 грн |
| 100+ | 227.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8M100B Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8M100B за ціною від 320.55 грн до 375.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT8M100B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT8M100B | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
APT8M100B | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
APT8M100B | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 Case: TO247-3 Kind of package: tube Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Gate charge: 60nC On-state resistance: 1.8Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 27A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 290W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |