Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT95GR65B2

APT95GR65B2 Microchip Technology

Name: APT95GR65B2
Brand: Microchip Technology
SKU: 4333466-3
Price: 699.87 UAH
Availability: InStock

Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 650V 208A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/226ns
Switching Energy: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
Test Condition: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 208 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 892 W

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	699.87 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT95GR65B2 Microchip Technology

Description: IGBT NPT 650V 208A TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/226ns, Switching Energy: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off), Test Condition: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 208 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A, Power - Max: 892 W.

Інші пропозиції APT95GR65B2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT95GR65B2	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Chip N-CH 650V 208A 892000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT95GR65B2	Виробник : Microchip Technology	IGBTs IGBT MOS 8 650 V 95 A TO-247 MAX	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT95GR65B2	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: NPT; POWER MOS 8® Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 100A Power dissipation: 892W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Turn-on time: 105ns Turn-off time: 336ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.