APT9M100S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 335W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605 pF @ 25 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.88 грн |
| 100+ | 366.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT9M100S Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 335W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: D3Pak, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT9M100S за ціною від 403.56 грн до 473.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT9M100S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| APT9M100S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT9M100S SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |