APTC60AM24SCTG MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±20V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 260A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 24mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 462W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTC60AM24SCTG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±20V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 260A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 70A, On-state resistance: 24mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 462W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTC60AM24SCTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APTC60AM24SCTG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 |
товару немає в наявності |
||
| APTC60AM24SCTG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC4138 |
товару немає в наявності |
||
| APTC60AM24SCTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 260A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A On-state resistance: 24mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 462W |
товару немає в наявності |