APTC60AM24SCTG MICROCHIP TECHNOLOGY


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7320 Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 462W
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60AM24SCTG MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 70A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 24mΩ, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 462W, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±20V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60AM24SCTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC60AM24SCTG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7320 Description: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60AM24SCTG Виробник : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7320 Discrete Semiconductor Modules DOR CC4138
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60AM24SCTG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7320 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 70A; SP4; Idm: 260A; 462W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 462W
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.