Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTC60AM35T1G

APTC60AM35T1G Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 72A 12-Pin Case SP-1 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTC60AM35T1G Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 416W, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA, Supplier Device Package: SP1.

Інші пропозиції APTC60AM35T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTC60AM35T1G	Виробник : MICROSEMI	SP1/POWER MODULE - COOLMOS APTC60AM35 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60AM35T1G	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 416W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60AM35T1G	Виробник : Microsemi	Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60AM35T1G	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 600V; 54A; SP1; Press-in PCB; 416W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw On-state resistance: 35mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 416W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: SP1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.