Технічний опис APTC60AM35T1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 416W, Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA, Supplier Device Package: SP1.
Інші пропозиції APTC60AM35T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTC60AM35T1G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 72A 12-Pin Case SP-1 Tube |
товар відсутній |
|
| APTC60AM35T1G | Виробник : MICROSEMI |
SP1/POWER MODULE - COOLMOS APTC60AM35 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTC60AM35T1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 416W Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: SP1 |
товар відсутній |
||
| APTC60AM35T1G | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos |
товар відсутній |