Технічний опис APTC60DAM18CTG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W, Case: SP4, On-state resistance: 18mΩ, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Technology: CoolMOS™; SiC, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 833W, Drain current: 107A, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 572A.
Інші пропозиції APTC60DAM18CTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTC60DAM18CTG | Виробник : Microchip Technology |
 Description: MOSFET N-CH 600V 143A SP4 |
товару немає в наявності |
|
| APTC60DAM18CTG | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |
||
| APTC60DAM18CTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W Case: SP4 On-state resistance: 18mΩ Topology: boost chopper; NTC thermistor Technology: CoolMOS™; SiC Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: SiC diode/transistor Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 833W Drain current: 107A Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 572A |
товару немає в наявності |