Технічний опис APTC60DAM18CTG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 107A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 18mΩ, Pulsed drain current: 572A, Power dissipation: 833W, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTC60DAM18CTG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APTC60DAM18CTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 107A Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 18mΩ Pulsed drain current: 572A Power dissipation: 833W Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APTC60DAM18CTG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APTC60DAM18CTG | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APTC60DAM18CTG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 107A Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 18mΩ Pulsed drain current: 572A Power dissipation: 833W Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; NTC thermistor |
товару немає в наявності |