APTC60DAM18CTG

APTC60DAM18CTG Microchip Technology


867326-aptc60dam18ctg-rev4-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 143A 20-Pin Case SP-4 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60DAM18CTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 107A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 18mΩ, Pulsed drain current: 572A, Power dissipation: 833W, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: boost chopper; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60DAM18CTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC60DAM18CTG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 7326-aptc60dam18ctg-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 107A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 572A
Power dissipation: 833W
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DAM18CTG APTC60DAM18CTG Виробник : Microchip Technology 7326-aptc60dam18ctg-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 143A SP4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DAM18CTG Виробник : Microchip / Microsemi 7326-aptc60dam18ctg-datasheet Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DAM18CTG Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 7326-aptc60dam18ctg-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 107A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 572A
Power dissipation: 833W
Technology: CoolMOS™; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.