Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APTC60DAM18CTG

APTC60DAM18CTG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 143A 20-Pin Case SP-4 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTC60DAM18CTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Pulsed drain current: 572A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 107A, On-state resistance: 18mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 833W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60DAM18CTG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APTC60DAM18CTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 572A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 107A On-state resistance: 18mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 833W кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60DAM18CTG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 600V 143A SP4	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60DAM18CTG	Виробник : Microchip / Microsemi	Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APTC60DAM18CTG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 107A; SP4; Idm: 572A; 833W Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Technology: CoolMOS™; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper; NTC thermistor Pulsed drain current: 572A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 107A On-state resistance: 18mΩ Semiconductor structure: SiC diode/transistor Power dissipation: 833W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.