APTC60DDAM24T3G Microchip Technology


11885904126529357330-aptc60ddam24t3g-rev1-datasheet.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 95A 16-Pin Case SP-3 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60DDAM24T3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3; Press-in PCB; Idm: 260A, Case: SP3, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 70A, On-state resistance: 24mΩ, Power dissipation: 462W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: SJ-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Pulsed drain current: 260A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60DDAM24T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APTC60DDAM24T3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 7330-aptc60ddam24t3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3; Press-in PCB; Idm: 260A
Case: SP3
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 462W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Pulsed drain current: 260A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DDAM24T3G Виробник : Microsemi Power Products Group 7330-aptc60ddam24t3g-rev1-pdf Description: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DDAM24T3G Виробник : Microchip Technology APTC60DDAM24T3G_Rev2-3444926.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APTC60DDAM24T3G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 7330-aptc60ddam24t3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3; Press-in PCB; Idm: 260A
Case: SP3
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 462W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Pulsed drain current: 260A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.